Функция оптимизации

И стадию окисления низшего окисла: А120 + 02 — АГ203.

Аппаратурная схема этого непрерывного процесса выращивания нитевидных кристаллов А1203 представлена на рис. 132.

Газы из баллонов 1 через осушители 2, проходя через ротаметры 5, поступают в печь 4, куда из хлоратора 5 подается безводный хлористый алюминий, из баллона 1 водород и затравки 6 в виде 5 мкм частиц А1203, которые вводятся в поток С02 через аппарат с псевдожидким слоем 7.

Газы с затравками поступают сначала в печь (температура 1350°С и давление 103 Па), где происходит почти мгновенный рост кристаллов в длину до 13 мм. Затем газы и выросшие кристаллы поступают в сборник 6\ где твердые частицы отделяются от газообразных продуктов реакции. Газообразные продукты реакции прокачиваются через поглотитель газов 9 вакуумным насосом 10.

Получены нитевидные кристаллы AI2O3 путем высокотемпературного окисления порошка металлического алюминия в атмосфере влажного водорода. Схема установки изготовления ни-

Введение примесей ускоряет рост кристаллов, но до определенного их содержания, затем вновь наступает снижение массового выхода и скорости роста.

По прочностным характеристикам кристаллы, полученные приведенными здесь методами, выгодно отличаются от других высокими значениями прочности и модуля упругости, а сами методы их изготовления сравнительно большой производительностью.

Помимо указанных методов выращивания нитевидных кристаллов окиси алюминия, существуют и другие, но практического значения они не имеют.

Окись магния. Опубликованы сведения о десяти методах выращивания нитевидных кристаллов MgO. В работе [482] для этих целей применили метод испарения MgO с последующей конденсацией. Выращивание осуществляли в вакуумной печи с графитовым нагревателем при (1—2)« 103 Па давлении. Хотя этот метод представлен как метод испарения—конденсации, не исключена возможность следующей транспортной реакции:

2000 °С

MgO^+^Q.e)MgC(r) + CO(r).

Испарение MgO проводили при температуре 2000, а осаждение на графитовом холодильнике при температуре 1000°С. Выращенные кристаллы были прозрачны, толщина их изменя