Поэтому кривые деформации в этих испытаниях в зависимости от температуры вначале показывают некоторый подъем, а затем резко падают вниз при появлении заметной пластической деформации.
Очень сильная зависимость скорости ползучести от температуры вуалирует влияние других факторов, поэтому, как правило, структура окисной керамики не оказывает заметного влияния на положение соответствующих температур деформации под нагрузкой. Так, наблюдается незначительное их увеличение (на 20—30°С) при повышении размеров кристаллов, но оно практически лежит на пределе чувствительности экспериментальных методик.
Наблюдается определенная связь пористости и температур деформации под нагрузкой данного вида керамики: с увеличением пористости соответствующие температуры падают (рис.21).
Это связано с уменьшением величины «контактного сечения» образцов и, возможно, с изменением механизма деформации. Так, для корундовой керамики температуры HP падают от 1750 до 1475°С при увеличении пористости от 32 до 55%.
Электропроводность окисных материалов обусловлена наличием в них подвижных носителей зарядов — электронов и ионов. Поскольку при обычных температурах таких носителей в керамике, как правило, мало, она обладает высоким сопротивлением и является хорошим диэлектриком. По мере повышения температуры вследствие тепловых флуктуации возрастают подвижность и количество таких частиц и сопротивление образца падает по уравнению Аррениуса. Перегибы на кривой lgx—1/Г, где и— проводимость, Т — абсолютная температура, говорят о смене механизма, т. е. об изменении типа носителей или их подвижности.
Присутствие пор может приводить как к возрастанию, так и к снижению проводимости. Последнее наблюдается для материалов с высокой электропроводностью, например твердых растворов на основе Zr02; в этом случае поведение керамики аналогично поведению металлов и ее проводимость снижается в меру изменения контактного сечения. Это уменьшение невелико и при данной температуре даже для высокой пористости в 15—20% составляет до 40—50%.
Для электроизоляционной керамики пористость приводит к возрастанию проводимости (рис. 23). Это связано с тем, что перенос зарядов по поверхности пор облегчается, поскольку она
0 коммент.:
Отправить комментарий